| Общие характеристики |
| Socket | LGA775 |
| Ядро |
| Ядро | Yorkfield |
| Количество ядер | 4 |
| Техпроцесс | 45 нм |
| Частотные характеристики |
| Тактовая частота | 3200 МГц |
| Системная шина | 1600 МГц |
| Коэффициент умножения | 9 |
| Напряжение на ядре | 0.85 B |
| Кэш |
| Объем кэша L1 | 64 Кб |
| Объем кэша L2 | 12288 Кб |
| Наборы команд |
| Инструкции | MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4 |
| Поддержка AMD64/EM64T | есть |
| Поддержка NX Bit | есть |
| Поддержка Virtualization Technology | есть |
| Дополнительно |
| Типичное тепловыделение | 136 Вт |
| Максимальная рабочая температура | 55.5 °C |
| Дополнительная информация | напряжение на ядре: 0.85В - 1.3625В |
