Silicon Power SP002GBLTU133V01: обзоры и отзывы

Общие характеристики
Тип памяти	DDR3
Форм-фактор	DIMM 240-контактный
Тактовая частота	1333 МГц
Пропускная способность	10600 Мб/с
Объем	1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная (Low Profile)	нет
Тайминги
CAS Latency (CL)	9
RAS to CAS Delay (tRCD)	9
Row Precharge Delay (tRP)	9
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля	8
Напряжение питания	1.5 В

Написать отзыв