Samsung DDR3 800 SO-DIMM 4Gb: обзоры и отзывы

Общие характеристики
Тип памяти	DDR3
Форм-фактор	SODIMM 204-контактный
Тактовая частота	800 МГц
Пропускная способность	6400 Мб/с
Объем	1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная (Low Profile)	нет
Тайминги
CAS Latency (CL)	6
RAS to CAS Delay (tRCD)	6
Row Precharge Delay (tRP)	6
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля	16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания	1.5 В
Количество ранков	2

Написать отзыв