Samsung DDR3 1066 DIMM 4Gb: обзоры и отзывы

Общие характеристики
Тип памяти	DDR3
Форм-фактор	DIMM 240-контактный
Тактовая частота	1066 МГц
Пропускная способность	8500 Мб/с
Объем	1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная (Low Profile)	нет
Тайминги
CAS Latency (CL)	7
RAS to CAS Delay (tRCD)	7
Row Precharge Delay (tRP)	7
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля	16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания	1.5 В
Количество ранков	2

Написать отзыв